試題1

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試題2

硬磁盤存儲器的道存儲密度是指（1），而不同磁道上的位密度是（2）。
（1）A、沿同磁道每毫米記錄的二進(jìn)制位數(shù) 
B、同一柱面上的磁道數(shù) 
C、一個(gè)磁道圓周上所記錄的二進(jìn)制位數(shù) 
D、沿磁盤半徑方向上單位長度(毫米或英時(shí))上的磁道數(shù)
（2）A、靠近圓心的密度大 
B、靠近外邊沿的密度大 
C、靠近圓心的密度小 
D、靠近半徑中間的密度小 

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試題3

已知一個(gè)文件中出現(xiàn)的各字符及其對應(yīng)的頻率如下表所示。若采用定長編碼，則該文件中字符的碼長應(yīng)為（1）。若采用Huffman編碼，則字符序列“face”的編碼應(yīng)為（2）。

（1）A．2
B．3
C．4
D．5
（2）A．110001001101
B．001110110011
C．101000010100
D．010111101011

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試題4

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試題5

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試題6

下圖所示為（1）設(shè)計(jì)模式，適用于（2）。

（1）A．抽象工廠(Abstract Factory)
B．生成器(Builder)
C．工廠方法(Factory Method)．
D．原型(Prototype)
（2）A．一個(gè)系統(tǒng)要由多個(gè)產(chǎn)品系列中的一個(gè)來配置時(shí)
B．當(dāng)一個(gè)類希望由它的子類來指定它所創(chuàng)建的對象時(shí)
C．當(dāng)創(chuàng)建復(fù)雜對象的算法應(yīng)該獨(dú)立于該對象的組成部分及其裝配方式時(shí)
D．當(dāng)一個(gè)系統(tǒng)應(yīng)該獨(dú)立于它的產(chǎn)品創(chuàng)建、構(gòu)成和表示時(shí)

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試題7

“X = (A + B ) × ( C - D / E )”的后綴式表示為 （ ） 。
A、XAB+CDE/-×=
B、XAB+C-DE /×=
C、XAB+CDE-/×=
D、XAB+CD-E/×=

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試題8

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試題9

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試題10

循環(huán)冗余校驗(yàn)碼(CRC.利用生成多項(xiàng)式進(jìn)行編碼。設(shè)數(shù)據(jù)位為k位，校驗(yàn)位為r位，則CRC碼的格式為（）。
A．k個(gè)數(shù)據(jù)位之后跟r個(gè)校驗(yàn)位
B．r個(gè)校驗(yàn)位之后跟k個(gè)數(shù)據(jù)位
C．r個(gè)校驗(yàn)位隨機(jī)加入k個(gè)數(shù)據(jù)位中
D．r個(gè)校驗(yàn)位等間隔地加入k個(gè)數(shù)據(jù)位中

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